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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1525AV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 72兆位QDR - II型⑩SRAM的2字突發(fā)結(jié)構(gòu) |
| 文件頁數(shù)： | 4/26頁 |
| 文件大小： | 1074K |
| 代理商： | CY7C1525AV18 |
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PRELIMINARY
CY7C1510AV18
CY7C1525AV18
CY7C1512AV18
CY7C1514AV18
Document #: 001-06984 Rev. *B
Page 4 of 26
Pin Configurations
[1]
Note:
1. V
SS
/144M and V
SS
/288M are not connected to the die and can be tied to any voltage level.
CY7C1510AV18 (8M x 8)
2
A
3
A
4
5
6
K
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NWS
1
NC/288M
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/144M
NWS
0
A
V
SS
NC
NC
D4
NC
NC
NC
Q4
NC
Q5
NC
NC
TDO
NC
NC
D5
V
REF
NC
Q6
NC
D7
NC
TCK
NC
K
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
NC
D6
NC
NC
Q7
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
8
9
A
10
A
NC
NC
NC
D2
11
CQ
Q3
D3
NC
NC
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Q2
NC
NC
ZQ
NC
NC
NC
NC
V
REF
Q1
NC
NC
NC
NC
Q0
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D1
D0
NC
TDI
TMS
A
165-ball FBGA (15 x 17 x 1.4 mm) Pinout
CY7C1525AV18 (8M x 9)
2
A
3
A
4
5
6
K
K
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
WPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/144M
BWS
0
A
V
SS
NC
NC
D5
NC
NC
NC
Q5
NC
Q6
NC
NC
TDO
NC
NC
D6
V
REF
NC
Q7
NC
D8
NC
TCK
NC
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
NC
NC
D7
NC
NC
Q8
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
8
9
A
10
A
NC
NC
NC
D3
11
CQ
Q4
D4
NC
Q0
RPS
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Q3
NC
NC
ZQ
NC
D0
NC
NC
V
REF
Q2
NC
NC
NC
NC
Q1
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D2
D1
NC
TDI
TMS
A
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1525AV18-167BZC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1525AV18-167BZI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1525AV18-167BZXC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1525AV18-167BZXI | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1510AV18-167BZC | 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1525JV18250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525JV18-250BZCES | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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