參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1525V18-167BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 8M X 9 QDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 21/27頁(yè)
文件大?。?/td> 458K
代理商： CY7C1525V18-167BZI
CY7C1510V18
CY7C1525V18
CY7C1512V18
CY7C1514V18
Document #: 38-05489 Rev. *D
Page 21 of 27
Thermal Resistance
[22]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
FBGA
16.2
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Test conditions follow standard test
methods and procedures for
measuring thermal impedance, per
EIA/JESD51.
Θ
JC
2.3
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Note:
23.Unless otherwise noted, test conditions assume signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, Vref = 0.75V, RQ = 250
, V
DDQ
= 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified I
OL
/I
OH
and load capacitance shown in (a) of AC test loads.
1.25V
0.25V
R = 50
5 pF
ALL INPUT PULSES
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
REF
= 0.75V
V
REF
= 0.75V
[23]
0.75V
0.75V
Device
Under
Test
OUTPUT
0.75V
V
REF
V
REF
OUTPUT
ZQ
ZQ
(a)
Slew Rate = 2 V/ns
RQ =
250
(b)
RQ =
250
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1525V18-167BZXC 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1525V18-167BZXI 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1516AV18 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1516AV18-167BZC 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1516AV18-167BZI 72-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1525V18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1525V18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1525V18-250BZXC 功能描述:IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165LFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):557-1327-2
CY7C1526K 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FOR REG PURPOSE ONLY - Trays
CY7C1526KV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (8Mx9) 1.8v 300MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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