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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1526V18-278BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 8M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 426K |
| 代理商： | CY7C1526V18-278BZXC |
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CY7C1511V18
CY7C1526V18
CY7C1513V18
CY7C1515V18
Document #: 38-05363 Rev. *D
Page 2 of 28
Logic Block Diagram (CY7C1511V18)
2
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
NWS
[1:0]
Q
[7:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
16
21
8
32
8
V
REF
W
Write
Reg
16
A
(20:0)
21
C
C
2
2
2
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
8
CQ
CQ
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1526V18)
2
CLK
Gen.
A
(20:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
RPS
WPS
BWS
[0]
Q
[8:0]
Control
Logic
Address
Register
Reg.
Reg.
Reg.
18
21
9
36
9
V
REF
W
Write
Reg
18
A
(20:0)
21
C
C
2
2
2
Write
Reg
Write
Reg
Write
Reg
9
CQ
CQ
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1526V18-278BZXI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1526V18-300BZC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1526V18-300BZI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1526V18-300BZXC | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
| CY7C1526V18-300BZXI | 72-Mbit QDR⑩- II SRAM 4-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1543KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543KV18-400BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543KV18-450BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb x 18 450 MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543KV18-450BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (8Mx9) 1.8v 450MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1543V18-333BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72M Q2+ B4 (2.0) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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