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參數(shù)資料
| 型號： | CYDC256B16-55AXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM |
| 中文描述： | 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 15/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 580K |
| 代理商： | CYDC256B16-55AXC |
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CYDC256B16, CYDC128B16,
CYDC064B16, CYDC128B08,
CYDC064B08
Document #: 001-01638 Rev. *E
Page 15 of 26
Switching Characteristics for V
CC
= 2.5V
Over the Operating Range
Parameter
Description
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
Unit
-40
-55
Min.
Max.
Min.
Max.
Read Cycle
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE[28]
t
DOE
t
LZOE[29, 30, 31]
t
HZOE[29, 30, 31]
t
LZCE[29, 30, 31]
t
HZCE[29, 30, 31]
t
PU[31]
t
PD[31]
t
ABE[28]
Write Cycle
Read Cycle Time
40
55
ns
Address to Data Valid
40
55
ns
Output Hold From Address Change
5
5
ns
CE LOW to Data Valid
40
55
ns
OE LOW to Data Valid
25
30
ns
OE Low to Low Z
2
2
ns
OE HIGH to High Z
15
15
ns
CE LOW to Low Z
2
2
ns
CE HIGH to High Z
15
15
ns
CE LOW to Power-Up
0
0
ns
CE HIGH to Power-Down
40
55
ns
Byte Enable Access Time
40
55
ns
t
WC
t
SCE[28]
t
AW
t
HA
t
SA[28]
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE[30, 31]
t
LZWE[30, 31]
t
WDD[32]
t
DDD[32]
Busy Timing
[33]
Write Cycle Time
40
55
ns
CE LOW to Write End
30
45
ns
Address Valid to Write End
30
45
ns
Address Hold From Write End
0
0
ns
Address Set-up to Write Start
0
0
ns
Write Pulse Width
25
40
ns
Data Set-up to Write End
20
30
ns
Data Hold From Write End
0
0
ns
R/W LOW to High Z
15
25
ns
R/W HIGH to Low Z
0
0
ns
Write Pulse to Data Delay
55
80
ns
Write Data Valid to Read Data Valid
55
80
ns
t
BLA
t
BHA
t
BLC
t
BHC
t
PS[34]
t
WB
t
WH
t
BDD[35]
BUSY LOW from Address Match
30
45
ns
BUSY HIGH from Address Mismatch
30
45
ns
BUSY LOW from CE LOW
30
45
ns
BUSY HIGH from CE HIGH
30
45
ns
Port Set-up for Priority
5
5
ns
R/W HIGH after BUSY (Slave)
0
0
ns
R/W HIGH after BUSY HIGH (Slave)
20
35
ns
BUSY HIGH to Data Valid
30
40
ns
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CYDC256B16-55AXI | 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM |
| CYDM064B16 | 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM |
| CYDM128B16 | 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM |
| CYII4SC1300AA-QSC | 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor |
| CYII4SD1300AA-QAC | 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CYDC256B16-55AXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 256K 16Kx16 Consumer Hi Vol Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CYDC61061012-48BAI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CYDC61078512-48BAI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CYDD04S18V18-167BBXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M Sync Dual Port 128Kx36 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CYDD04S18V18-167BBXI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M Sync Dual Port 128Kx36 90nm DDR IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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