參數(shù)資料
型號： CYDC256B16-55AXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
中文描述： 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù)： 10/26頁
文件大?。?/td> 580K
代理商： CYDC256B16-55AXI
CYDC256B16, CYDC128B16,
CYDC064B16, CYDC128B08,
CYDC064B08
Document #: 001-01638 Rev. *E
Page 10 of 26
I
IX
Input Leakage Current
1.8V
1.8V
–1
1
–1
1
μ
A
μ
A
μ
A
2.5V
2.5V
–1
1
–1
1
3.0V
3.0V
–1
1
–1
1
I
CC
Operating Current (V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA) Outputs Disabled
Standby Current (Both Ports TTL
Level) CE
L
and CE
R
≥
V
CC
– 0.2,
SEM
L
= SEM
R
= V
CC
– 0.2, f = f
MAX
Standby Current (One Port TTL
Level) CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX
Standby Current (Both Ports
CMOS Level) CE
L
& CE
R
≥
V
CC
0.2V, SEM
L
and SEM
R
>
V
CC
– 0.2V, f = 0
Standby Current (One Port CMOS
Level) CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX[25]
Ind.
Ind.
1.8V
1.8V
25
40
15
25
mA
I
SB1
Ind.
1.8V
1.8V
2
6
2
6
μ
A
I
SB2
Ind.
1.8V
1.8V
8.5
18
8.5
14
mA
I
SB3
Ind.
1.8V
1.8V
2
6
2
6
μ
A
I
SB4
1.8V
1.8V
8.5
18
8.5
14
mA
Notes:
25.f
= 1/t
RC
= All inputs cycling at f = 1/t
RC
(except output enable). f = 0 means no address or control lines change. This applies only to inputs at CMOS level
standby I
SB3
.
Electrical Characteristics for V
CC
= 1.8V
(continued)
Over the Operating Range
Parameter
Description
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
Unit
-40
-55
P1 I/O
Voltage
P2 I/O
Voltage
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
[+] Feedback
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