參數(shù)資料
型號(hào)： CYDC256B16-55AXI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
中文描述： 16K X 16 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, TQFP-100
文件頁數(shù)： 16/26頁
文件大?。?/td> 580K
代理商： CYDC256B16-55AXI
CYDC256B16, CYDC128B16,
CYDC064B16, CYDC128B08,
CYDC064B08
Document #: 001-01638 Rev. *E
Page 16 of 26
Interrupt Timing
[33]
t
INS
t
INR
Semaphore Timing
INT Set Time
35
45
ns
INT Reset Time
35
45
ns
t
SOP
t
SWRD
t
SPS
t
SAA
SEM Flag Update Pulse (OE or SEM)
10
15
ns
SEM Flag Write to Read Time
10
10
ns
SEM Flag Contention Window
10
10
ns
SEM Address Access Time
40
55
ns
Switching Characteristics for V
CC
= 3.0V
Over the Operating Range
Parameter
Description
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
Unit
-40
-55
Min.
Max.
Min.
Max.
Read Cycle
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE[28]
t
DOE
t
LZOE[29, 30, 31]
t
HZOE[29, 30, 31]
t
LZCE[29, 30, 31]
t
HZCE[29, 30, 31]
t
PU[31]
t
PD[31]
t
ABE[28]
Write Cycle
Read Cycle Time
40
55
ns
Address to Data Valid
40
55
ns
Output Hold From Address Change
5
5
ns
CE LOW to Data Valid
40
55
ns
OE LOW to Data Valid
25
30
ns
OE Low to Low Z
1
1
ns
OE HIGH to High Z
15
15
ns
CE LOW to Low Z
1
1
ns
CE HIGH to High Z
15
15
ns
CE LOW to Power-Up
0
0
ns
CE HIGH to Power-Down
40
55
ns
Byte Enable Access Time
40
55
ns
t
WC
t
SCE[28]
t
AW
t
HA
t
SA[28]
t
PWE
t
SD
t
HD
Write Cycle Time
40
55
ns
CE LOW to Write End
30
45
ns
Address Valid to Write End
30
45
ns
Address Hold From Write End
0
0
ns
Address Set-up to Write Start
0
0
ns
Write Pulse Width
25
40
ns
Data Set-up to Write End
20
30
ns
Data Hold From Write End
0
0
ns
Switching Characteristics for V
CC
= 2.5V
Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
CYDC256B16,
CYDC128B16,
CYDC064B16,
CYDC128B08,
CYDC064B08
Unit
-40
-55
Min.
Max.
Min.
Max.
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PDF描述
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CYDM128B16 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
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CYDD04S18V18-167BBXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M Sync Dual Port 128Kx36 90nm DDR IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDD04S18V18-200BBXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4M Sync Dual Port 128Kx36 90nm DDR COM RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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