參數(shù)資料
型號： CYDM064B16
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
中文描述： 1.8 4K/8K/16K㈢× 16的MoBL雙端口靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 17/25頁
文件大小： 583K
代理商： CYDM064B16
CYDM256B16
CYDM128B16
CYDM064B16
Document #: 001-00217 Rev. *E
Page 17 of 25
Switching Waveforms
Read Cycle No.1 (Either Port Address Access)
[32, 33, 34]
Read Cycle No.2 (Either Port CE/OE Access)
[32, 35, 36]
Read Cycle No. 3 (Either Port)
[32, 34, 37, 38]
Notes:
32.R/W is HIGH for read cycles.
33.Device is continuously selected CE = V
IL
and UB or LB = V
IL
. This waveform cannot be used for semaphore reads.
34.OE = V
.
35.Address valid prior to or coincident with CE transition LOW.
36.To access RAM, CE = V
, UB or LB = V
, SEM = V
IH
. To access semaphore, CE = V
IH
, SEM = V
IL
.
37.R/W must be HIGH during all address transitions.
38.A write occurs during the overlap (t
SCE
or t
PWE
) of a LOW CE or SEM and a LOW UB or LB.
t
RC
t
AA
t
OHA
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
DATA OUT
ADDRESS
t
OHA
t
ACE
t
LZOE
t
DOE
t
HZOE
t
HZCE
DATA VALID
t
LZCE
t
PU
t
PD
I
SB
I
CC
DATA OUT
OE
CE and
LB or UB
CURRENT
UB or LB
DATA OUT
t
RC
ADDRESS
t
AA
t
OHA
CE
t
LZCE
t
ABE
t
HZCE
t
HZCE
t
ACE
t
LZCE
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYDM128B16 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
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