參數(shù)資料
型號(hào)： CYDM064B16
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
中文描述： 1.8 4K/8K/16K㈢× 16的MoBL雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器
文件頁數(shù)： 3/25頁
文件大?。?/td> 583K
代理商： CYDM064B16
CYDM256B16
CYDM128B16
CYDM064B16
Document #: 001-00217 Rev. *E
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Pin Configurations
[3, 4, 5, 6, 7]
Notes:
3. A12L and A12R are NC pins for CYDM064B16.
4. IRR functionality is not supported for the CYDM256B16 device.
5. This pin is A13L for CYDM256B16 device.
6. This pin is A13R for CYDM256B16 device.
7. Leave this pin unconnected. No trace or power component can be connected to this pin.
100-Ball 0.5-mm Pitch BGA
Top View
CYDM064B16/CYDM128B16/CYDM256B16
1
2
3
4
5
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8
9
10
A
A
5R
A
8R
A
11R
UB
R
V
SS
SEM
R
I/O
15R
I/O
12R
I/O
10R
V
SS
B
A
3R
A
4R
A
7R
A
9R
CE
R
R/W
R
OE
R
V
DDIOR
I/O
9R
I/O
6R
C
A
0R
A
1R
A
2R
A
6R
LB
R
IRR1
[6]
I/O
14R
I/O
11R
I/O
7R
V
SS
D
ODR4
ODR2
BUSY
R
INT
R
A
10R
A
12R
[3]
I/O
13R
I/O
8R
I/O
5R
I/O
2R
E
V
SS
M/S
ODR3
INT
L
V
SS
V
SS
I/O
4R
V
DDIOR
I/O
1R
V
SS
F
SFEN
ODR1
BUSY
L
A
1L
V
CC
V
SS
I/O
3R
I/O
0R
I/O
15L
V
DDIOL
G
ODR0
A
2L
A
5L
A
12L
[3]
OE
L
I/O
3L
I/O
11L
I/O
12L
I/O
14L
I/O
13L
H
A
0L
A
4L
A
9L
LB
L
CE
L
I/O
1L
V
DDIOL
NC
[7]
NC
[7]
I/O
10L
J
A
3L
A
7L
A
10L
IRR0
[5]
V
CC
V
SS
I/O
4L
I/O
6L
I/O
8L
I/O
9L
K
A
6L
A
8L
A
11L
UB
L
SEM
L
R/W
L
I/O
0L
I/O
2L
I/O
5L
I/O
7L
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[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYDM128B16 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
CYII4SC1300AA-QSC 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor
CYII4SD1300AA-QAC 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor
CYII4SM1300AA-HBC 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor
CYII4SM1300AA-QBC 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYDM064B16_08 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL? Dual-Port Static RAM
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CYDM064B16_11 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL? Dual-Port Static RAM
CYDM064B16-40BVXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYDM064B16-40BVXIT 功能描述:IC SRAM 64KBIT 40NS 100VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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