參數(shù)資料
型號(hào)： CYDM064B16
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
中文描述： 1.8 4K/8K/16K㈢× 16的MoBL雙端口靜態(tài)存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 9/25頁(yè)
文件大?。?/td> 583K
代理商： CYDM064B16
CYDM256B16
CYDM128B16
CYDM064B16
Document #: 001-00217 Rev. *E
Page 9 of 25
I
IX
Input Leakage Current
1.8V
1.8V
–1
1
–1
1
μ
A
μ
A
μ
A
2.5V
2.5V
–1
1
–1
1
3.0V
3.0V
–1
1
–1
1
I
CC
Operating Current (V
CC
= Max.,
I
OUT
= 0 mA) Outputs Disabled
Standby Current (Both Ports TTL
Level) CE
L
and CE
R
≥
V
CC
– 0.2,
SEM
L
= SEM
R
= V
CC
– 0.2, f = f
MAX
Standby Current (One Port TTL
Level) CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX
Standby Current (Both Ports
CMOS Level) CE
L
& CE
R
≥
V
CC
0.2V, SEM
L
and SEM
R
>
V
CC
– 0.2V, f = 0
Standby Current (One Port CMOS
Level) CE
L
| CE
R
≥
V
IH
, f = f
MAX[21]
Ind.
Ind.
1.8V
1.8V
25
40
15
25
mA
I
SB1
Ind.
1.8V
1.8V
2
6
2
6
μ
A
I
SB2
Ind.
1.8V
1.8V
8.5
18
8.5
14
mA
I
SB3
Ind.
1.8V
1.8V
2
6
2
6
μ
A
I
SB4
1.8V
1.8V
8.5
18
8.5
14
mA
Notes:
21.f
= 1/t
RC
= All inputs cycling at f = 1/t
RC
(except output enable). f = 0 means no address or control lines change. This applies only to inputs at CMOS level
standby I
SB3
.
Electrical Characteristics for V
CC
= 1.8V
(continued)
Over the Operating Range
Parameter
Description
CYDM256B16,
CYDM128B16,
CYDM064B16
CYDM256B16,
CYDM128B16,
CYDM064B16
Unit
-40
-55
P1 I/O
Voltage
P2 I/O
Voltage
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYDM128B16 1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RAM
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CYII4SD1300AA-QAC 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor
CYII4SM1300AA-HBC 1.3 MPxl Rolling Shutter CMOS Image Sensor
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CYDM064B16-40BVXIT 功能描述:IC SRAM 64KBIT 40NS 100VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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