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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CYIS1SM1000AA-HQC |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 1M Pixel Radiation Hard CMOS Image Sensor |
| 中文描述： | 輻射硬盤100萬像素CMOS圖像傳感器 |
| 文件頁數(shù)： | 2/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 611K |
| 代理商： | CYIS1SM1000AA-HQC |
STAR1000
Document Number: 38-05714 Rev. *B
Page 2 of 21
Image Sensor Specifications
General Specifications
Electro-optical Specifications
Table 1. General Specification of the STAR1000 Sensor
Parameter
Specification
Comment
Detector technology
CMOS active pixel sensor
Pixel structure
3-transistor active pixel
Radiation-tolerant pixel design.
Photodiode
High fill factor photodiode
Using N-well technique.
Sensitive area format
1024 x 1024 pixels
Pixel size
15 x15
μ
m
2
Pixel output rate
12 MHz
Speed can be exchanged for power consumption.
Windowing
X- and Y- addressing random programmable
Electronic shutter
Electronic rolling shutter.
Range: 1:1024
Integration time is variable in time steps equal to the
row readout time.
Total dose radiation
tolerance
> 250 Krad (Si)
Pixel test structures with a similar design have
shown total dose tolerance up to several Mrad.
Note: Dark current and DSNU are dependent of
radiation dose.
Proton radiation tolerance
2,4.10
11
proton/cm
2
At 60 MeV
SEU tolerance
> 127,8 MeV cm
3
mg
-1
Table 2. Electro-optical Specifications of the STAR1000 Sensor
Parameter
Value
Comment
Typical Value
Unit
Spectral range
400 - 1000
nm
Quantum efficiency x fill
factor
20%
Average over the visual range. See spectral
response curve.
Full well capacity
135.000
e-
Saturation capacity to
meet non-linearity within
+ 5%
99.000
e-
Output signal swing
1.1
V
Conversion gain
11.4
μ
V/e-
kTC noise
47
e-
Dynamic range
69
dB
Fixed pattern noise
Local: 1
σ
< 0.30%
Global: 1
σ
<0.56%
of full well
Photo response
non-uniformity at Sat/2
(RMS)
Local: 1
σ
< 0.67%
Global:
σ
<3.93%
of full well
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CYK256K16MCBU-55BVXI | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCBU-70BVXI | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCB | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCBU-55BVI | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCBU-60BVI | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CYIS1SM1000-EVAL | 功能描述:光學(xué)傳感器開發(fā)工具 1M Pixel Radiation Hard CMOS Img Snsr RoHS:否 制造商:ams 工具用于評(píng)估: 接口類型: 最大工作溫度: |
| CYISM530AYXB | 功能描述:時(shí)鐘緩沖器 Reduction SSCGs COM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出端數(shù)量:5 最大輸入頻率:40 MHz 傳播延遲（最大值）: 電源電壓-最大:3.45 V 電源電壓-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:LLP-24 封裝:Reel |
| CYISM530AYXBT | 功能描述:時(shí)鐘緩沖器 Reduction SSCGs COM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出端數(shù)量:5 最大輸入頻率:40 MHz 傳播延遲（最大值）: 電源電壓-最大:3.45 V 電源電壓-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:LLP-24 封裝:Reel |
| CYISM530AZXC | 功能描述:時(shí)鐘緩沖器 Reduction SSCGs COM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出端數(shù)量:5 最大輸入頻率:40 MHz 傳播延遲（最大值）: 電源電壓-最大:3.45 V 電源電壓-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:LLP-24 封裝:Reel |
| CYISM530AZXCT | 功能描述:時(shí)鐘緩沖器 Reduction SSCGs COM RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出端數(shù)量:5 最大輸入頻率:40 MHz 傳播延遲（最大值）: 電源電壓-最大:3.45 V 電源電壓-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:LLP-24 封裝:Reel |
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