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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CYK256K16MCBU-55BVXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| 中文描述： | 256K X 16 PSEUDO STATIC RAM, 55 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 305K |
| 代理商： | CYK256K16MCBU-55BVXI |
CYK256K16MCCB
MoBL3
Document #: 38-05585 Rev. *F
Page 5 of 10
t
BW
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
BLE/BHE LOW to Write End
Data Set-Up to Write End
Data Hold from Write End
WE LOW to High-Z
[11, 13]
WE HIGH to Low-Z
[11, 13]
50
25
0
50
25
0
55
25
0
ns
ns
ns
ns
ns
25
25
25
5
5
5
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[10]
(continued)
Parameter
Description
55 ns
[14]
Min.
60 ns
70 ns
Unit
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Switching Waveforms
Read Cycle 1 (Address Transition Controlled)
[14, 15, 16]
Read Cycle 2 (OE Controlled)
[14, 16]
Notes:
15.Device is continuously selected. OE, CE = V
IL
.
16.WE is HIGH for Read Cycle.
ADDRESS
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
t
RC
t
AA
t
OHA
t
SK
50%
50%
DATA VALID
t
RC
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
HIGH IMPEDANCE
t
HZOE
HIGH
OE
CE
I
CC
I
SB
IMPEDANCE
ADDRESS
VCC
SUPPLY
CURRENT
t
HZBE
BHE
/
BLE
t
LZBE
t
HZCE
DATA OUT
t
DBE
t
SK
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CYK256K16MCBU-70BVXI | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCB | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCBU-55BVI | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCBU-60BVI | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCBU-70BVI | 4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CYK256K16MCBU-70BVXI | 功能描述:IC PSRAM 4MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CYK256K16MCBU-70BVXIT | 功能描述:IC PSRAM 4MBIT 70NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| CYK256K16MCCB | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCBU-55BVI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
| CYK256K16MCCBU-60BVI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM |
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