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DFE252012P-3R3M=P2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DFE252012P-3R3M=P2
    DFE252012P-3R3M=P2

    DFE252012P-3R3M=P2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • DFE252012P-3R3M=P2
    DFE252012P-3R3M=P2

    DFE252012P-3R3M=P2

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯(lián)系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區(qū)濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 250

  • MURATA

  • SMD

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現(xiàn)貨庫存*全網(wǎng)最低

  • DFE252012P-3R3M=P2
    DFE252012P-3R3M=P2

    DFE252012P-3R3M=P2

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • MURATA

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
DFE252012P-3R3M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 140 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE252012P
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 3.3μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 2.3A
  • 電流 - 飽和值
  • -
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 140 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 1008（2520 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.039"（1.00mm）
  • 標準包裝
  • 1
DFE252012P-3R3M=P2 技術參數(shù)
  • DFE252012P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 3A 84 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:84 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE252012P-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 3.5A 60 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:3.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:60 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE252012P-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 4.3A 42 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012P 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:4.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 DFE252012F-R82M=P2 功能描述:820nH Shielded Inductor 3.6A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:820nH 容差:±20% 額定電流:3.6A 電流 - 飽和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:35 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標準包裝:1 DFE252012F-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Inductor 3.9A 31 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252012F 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:- 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:680nH 容差:±20% 額定電流:3.9A 電流 - 飽和值:6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:31 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.047"（1.20mm） 標準包裝:1 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3 DFEG10040D-1R0M=P3 DFEG10040D-1R5M=P3 DFEG10040D-220M=P3 DFEG10040D-2R2M=P3 DFEG10040D-3R3M=P3 DFEG10040D-4R7M=P3 DFEG10040D-5R6M=P3 DFEG10040D-6R8M=P3 DFEG10040D-8R2M=P3 DFEG12060D-100M=P3 DFEG12060D-150M=P3 DFEG12060D-1R0M=P3 DFEG12060D-1R5M=P3 DFEG12060D-220M=P3 DFEG12060D-2R2M=P3 DFEG12060D-3R3M=P3
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