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DME10P12K-F

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DME10P12K-F
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Cornell Dubilier Electron
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

1/1頁 40條/頁共4條
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功能描述
薄膜電容器 DME 1KV 0.12uF
RoHS
否
制造商
Cornell Dubilier
產品類型
電介質
Polyester
電容
0.047 uF
容差
10 %
電壓額定值
100 V
系列
225P
工作溫度范圍
- 55 C to + 85 C
端接類型
Radial
引線間隔
9.5 mm

DME10P12K-F 技術參數(shù)

DMC-40202NY-LY-AZE-BDN 功能描述:Character LCD Display Module Transmissive 5 x 8 Dots STN - Super-Twisted Nematic LED - Yellow/Green Parallel 182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 制造商:kyocera international, inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期字符數(shù):80 顯示格式:40 x 2 字符格式:5 x 8 點顯示類型:STN - 超扭轉向列顯示模式:可傳導的字符大小:- 外形尺寸 L x W x H:182.00mm x 34.50mm x 15.10mm 可視范圍:152.50mm 長 x 16.50mm 寬背光:LED - 黃/綠電壓 - 電源:4.5 V ~ 5.5 V 點尺寸:- 接口:并聯(lián) 工作溫度:0°C ~ 50°C 文字顏色:黃背景顏色:綠標準包裝:140 DMC4015SSD-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.6A，6.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1810pF @ 20V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 DMC3021LSDQ-13 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8.5A，7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 DMC25D1UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:25V，12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:500mA，3.9A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:27.6pF @ 10V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:TSOT-26 標準包裝:1 DMC25D0UVT-7 功能描述:MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:25V，30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:400mA，3.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 400mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:26.2pF @ 10V 功率 - 最大值:1.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應商器件封裝:TSOT-26 標準包裝:1 DME10S1K-F DME10S22K-F DME10S27K-F DME10S33K-F DME10S39K-F DME10S47K-F DME10S56K-F DME10S68K-F DME10S82K-F DME1737-NW DME1P56K-F DME1P68K-F DME1P82K-F DME1W10K-F DME1W1K-F DME1W1P2K DME1W1P2K-F DME1W1P5K-F