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DMP-0.5 X 0.5 X 0.25

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • DMP-0.5 X 0.5 X 0.25
    DMP-0.5 X 0.5 X 0.25

    DMP-0.5 X 0.5 X 0.25

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Fotofab

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
DMP-0.5 X 0.5 X 0.25 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • SHIELD RF REMOVBL .5 X .5 X .25"
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • RF/IF 和 RFID >> RF 屏蔽
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • 類型
  • 1 件
  • 高度 - 總計
  • 0.5"（12.7mm）
  • 長度 - 總體
  • 2"（50.8mm）
  • 寬度 - 總計
  • 3"（76.2mm）
  • 通風(fēng)
  • 實心
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 包裝
  • 散裝
  • 產(chǎn)品目錄頁面
  • 560 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • 655-1007
DMP-0.5 X 0.5 X 0.25 技術(shù)參數(shù)
  • DMO063 功能描述:Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SIP 制造商:crydom co. 系列:DMO 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電路:SPST-NO（1 A 形） 輸出類型:DC 導(dǎo)通電阻（最大值）:130 毫歐 負(fù)載電流:3A 電壓 - 輸入:3 ~ 10VDC 電壓 - 負(fù)載:0 ~ 60 V 安裝類型:通孔 端子類型:PC 引腳 封裝/外殼:4-SIP 供應(yīng)商器件封裝:4 迷你型 SIP 繼電器類型:繼電器 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 DMN4040SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:945pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.71W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4034SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.4A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:453pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4030LK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:604pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.14W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMN4026SK3-13 功能描述:MOSFET N-CH 40V 28A TO252 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1181pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DMP1011UCB9-7 DMP1012UCB9-7 DMP1022UFDE-7 DMP1022UFDF-13 DMP1022UFDF-7 DMP1045U-7 DMP1045UFY4-7 DMP1046UFDB-13 DMP1046UFDB-7 DMP1055UFDB-7 DMP1055USW-13 DMP1055USW-7 DMP1080UCB4-7 DMP1081UCB4-7 DMP1096UCB4-7 DMP10H400SE-13 DMP10H400SEQ-13 DMP10H400SK3-13
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