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參數(shù)資料
| 型號： | D2012UK |
| 英文描述： | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(10W-28V-1GHz,Single Ended)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(10W-28V-1GHz,單端式)) |
| 中文描述： | 金鍍金屬多功能硅的DMOS射頻場效應(yīng)管（10W的- 28V的- 1GHz的，單端）（鍍金多用的DMOS射頻硅場效應(yīng)管（10W的- 28V的- 1GHz的，單端式）） |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | D2012UK |
D2012UK
Prelim. 12/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
!" !
!
Figure 1
Output Power and Gain vs. Input Power
Figure 2
Output Power and Efficiency vs. Input Power
Figure 3
Output Power and Efficiency vs. Input Power
OPTIMUM SOURCE AND LOAD IMPEDANCE
Frequency
MHz
1000
Z
S
Z
L
5.0 - j7.2
2.4 - j7.1
!Freq
!MHz
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
S11
mag
0.841
0.871
0.891
0.902
0.923
0.933
0.955
0.955
0.966
0.955
S21
mag
24.547
11.482
6.683
4.365
3.055
2.113
1.758
1.413
1.161
0.944
S12
mag
0.01318
0.01
0.00653
0.00596
0.00891
0.01349
0.01862
0.02344
0.02851
0.03236
S22
mag
0.49
0.61
0.708
0.767
0.813
0.851
0.881
0.902
0.902
0.902
ang
-122
-146
-156
-163
-170
-174
-175
-177
179
177
ang
98
69
52
40
27
22
19
12
ang
13
ang
-94
-125
-137
-146
-155
-165
-166
-170
-177
-179
0
10
49
71
79
85
82
80
80
5
3
!
#
Vds=28V, Idq=0.8A
MHz S MA R 50
Typical S Parameters
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| D2012UK | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2012 | Si NPN TRANSISTOR |
| D2013UK | Gold Metallised Multi-Purpose Silicon DMOS RF FET(20W-28V-1GHz,Push-Pull)(鍍金多用DMOS射頻硅場效應(yīng)管(20W-28V-1GHz,推拉式)) |
| D2013 | METAL GATE RF SILICON FET |
| D2013UK | METAL GATE RF SILICON FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| D2013 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2 X 9V |
| D2013 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2X 9V |
| D20130-000 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:SCA600AC0-16B - Bulk |
| D2013UK | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:MOSFETRFN CHPP28V20W1000MHZDK 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:RF POWER TRANSISTOR MOSFET |
| D2014 | 制造商:Dagnall Electronics 功能描述:TRANSFORMER 1.5VA 2 X 12V |
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