LED數(shù)碼管的檢修
單片光電子集成技術(shù)
混合光電子集成技術(shù)
腐蝕控制模式波長(zhǎng)
鍍膜控制模式波長(zhǎng)
LED數(shù)碼顯示器的工作原理
數(shù)碼顯示器與電平顯示器
偏離內(nèi)脊側(cè)壁的距離對(duì)載流子密度的影響
N+和P+區(qū)的深度對(duì)載流子密度的影響
脊寬和脊高對(duì)載流子密度的影響
光小目位脊形光波導(dǎo)基模調(diào)制器
結(jié)構(gòu)調(diào)制器截面
SEED器件耐壓特性測(cè)量
SEED器件微區(qū)光反射譜測(cè)量
SEED列陣設(shè)計(jì)與制備
光反射譜測(cè)量
常關(guān)型量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
常通型器件量子阱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
SEED列陣研制適合于倒裝焊結(jié)構(gòu)的量子阱外延材料
頂注入對(duì)稱(chēng)相位調(diào)制器結(jié)構(gòu)
光小目位調(diào)制器位移電流方程
光小目位調(diào)制器漂移-擴(kuò)散模型
SEED智能像素制備工藝
SEED智能像素總體設(shè)計(jì)
SEED智能像素器件的工作原理
SEED智能像素器件的物理基礎(chǔ)
智能像素的應(yīng)用
器件建模光小目位調(diào)制器
VCSEL智能像素
光小目位調(diào)制器
SEED智能像素
智能像素對(duì)光子集成器件的要求
微光電子集成智能像素概述
硅基電光F-P結(jié)構(gòu)調(diào)制器示意圖
硅基電光調(diào)制器Mach-Zehender結(jié)構(gòu)
硅基電光調(diào)制器分類(lèi)
波導(dǎo)SOl化學(xué)氣相沉積工藝特點(diǎn)
波導(dǎo)SOl刻蝕工藝特點(diǎn)
波導(dǎo)SOl光刻工藝特點(diǎn)
波導(dǎo)SOl硅外延生長(zhǎng)工藝特點(diǎn)
基片的SOl智能切割
基片的SOl背部刻蝕和鍵合
基片的SOl氧注入分離法
SOl基片的制備
硅中的光調(diào)制機(jī)制
直光波導(dǎo)中的輻射損耗
半導(dǎo)體材料的吸收損耗
硅光波導(dǎo)中損耗的分類(lèi)
光波導(dǎo)的折射率及損耗系數(shù)
有效折射率法進(jìn)行脊形光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
買(mǎi)賣(mài)網(wǎng)電子技術(shù)資料、開(kāi)發(fā)技術(shù)
由北京輝創(chuàng)互動(dòng)信息技術(shù)有限公司獨(dú)家運(yùn)營(yíng)
粵ICP備14064281號(hào) 客服群：4031849 交流群：4031839 商務(wù)合作：QQ 775851086