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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG646BH25 |
| 廠商： | DYNEX SEMICONDUCTOR LTD |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Gate Turn-off Thyristor |
| 中文描述： | 1361.19 A, 2500 V, GATE TURN-OFF SCR |
| 封裝： | H, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 17/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 219K |
| 代理商： | DG646BH25 |
DG646BH25
17/19
A
VD
0.9VD
0.1VD
td
tr
tgt
IT
VDP
0.9IT
ITAIL
dVD/dt
VD
VDM
G
tgs
tgf
tw1
VFG
IFG
0.1IFG
dIFG/dt
0.1IGQ
QGQ
0.5IGQM
IGQM
VRG
V(RG)BR
IG(ON)
tgq
Recommended gate conditions:
I
TCM
= 2000A
I
FG
= 30A
I
G(ON)
= 7A d.c.
t
w1(min)
= 20
μ
s
I
GQM
= 650 A
di
GQ
/dt = 40A/
μ
s
Q
GQ
= 6600
μ
C
V
RG(min)
= 2V
V
RG(max)
= 16V
These are recommended Dynex Semiconductor conditions. Other conditions are permitted
according to users gate drive specifications.
Fig.29 General switching waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DG648BH | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG648BH45 | Gate Turn-off Thyristor |
| DG758BX | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG758BX45 | ER 26C 26#16 SKT PLUG |
| DGL-13-1 | Sample/Track-and-Hold Amplifier |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DG646BH25_05 | 制造商:DYNEX 制造商全稱:Dynex Semiconductor 功能描述:Gate Turn-off Thyristor |
| DG646BH25-125A | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:GTO THYRISTOR |
| DG646BH25-148 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:SCR - PHASE CONTROL THYRISTOR |
| DG648BH | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| DG648BH33 | 制造商:Dynex Semiconductor 功能描述:GTO THYRISTOR |
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