參數(shù)資料
型號(hào)： DG648BH45
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類(lèi)： 晶閘管
英文描述： Gate Turn-off Thyristor
中文描述： 1169.65 A, 4500 V, GATE TURN-OFF SCR
封裝： H, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/19頁(yè)
文件大小： 221K
代理商： DG648BH45
DG648BH45
4/19
CURVES
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Junction temperature T
j
- (
C)
0
2.0
4.0
6.0
8.0
G
G
0
0.5
1.0
1.5
2.0
G
G
I
GT
V
GT
0
1.0
Instantaneous on-state voltage V
TM
- (V)
2.0
3.0
4.0
5.0
0
1000
2000
3000
4000
I
T
Measured under pulse conditions.
I
= 7A
Half sine wave 10ms
T
j
= 125
C
T
j
= 25
C
Fig.1 Maximum gate trigger voltage/current vs junction temperature
Fig.2 On-state characteristics
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