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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DG648BH |
| 英文描述： | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| 中文描述： | GTO的晶閘管-不對(duì)稱-光盤(pán)/北辰設(shè)備 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/19頁(yè) |
| 文件大小： | 221K |
| 代理商： | DG648BH |
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DG648BH45
11/19
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
On-state current I
T
- (A)
FIG 17 TURN OFF ENERGY
ON STATE CURRENT
8000
6000
4000
2000
0
T
O
Conditions:
T
j
= 125
C,
C
S
= 2.0μF,
dI
GQ
/dt = 40A/μs
10000
0.5x V
DRM
0.75x V
DRM
V
DRM
20
30
40
50
60
70
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
12000
10000
8000
6000
4000
T
O
Conditions:
T
j
= 125
C,
C
= 2.0μF,
I
T
= 2000A
0.5x V
DRM
0.75x V
DRM
V
DRM
Fig.18 Turn-off energy loss vs rate of rise of reverse gate current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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