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參數(shù)資料
| 型號： | DG648BH |
| 英文描述： | GTO Thyristor - Asymmetric - Disc / Puk Devices |
| 中文描述： | GTO的晶閘管-不對稱-光盤/北辰設(shè)備 |
| 文件頁數(shù)： | 13/19頁 |
| 文件大?。?/td> | 221K |
| 代理商： | DG648BH |
DG648BH45
13/19
20
30
40
50
60
70
Rate of rise of reverse gate current dI
GQ
/dt - (A/μs)
Fig.21 Gate storage time vs rate of rise of reverse gate current
30
25
20
15
10
G
g
Conditions:
C
= 2.0μF,
I
T
= 2000A
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
On-state current I
T
- (A)
Fig.22 Gate fall time vs on-state current
2.0
1.5
1.0
0.5
0
G
g
μ
s
Conditions:
C
S
= 2.0
μ
F,
dI
GQ
/dt = 40A/
μ
s
T
j
= 25
C
T
j
= 125
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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