參數(shù)資料
型號(hào): DGSK32-018CS
廠商: IXYS CORP
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: Gallium Arsenide Schottky Rectifier Second generation
中文描述: 24 A, 180 V, GALLIUM ARSENIDE, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大小: 55K
代理商: DGSK32-018CS
2005 IXYS All rights reserved
2 - 2
0
DGS
DGSK 32-018CS
15-018CS
IXYS reserves the right to change limits, Conditions and dimensions.
Fig. 1 typ. forward characteristics
Fig. 2 typ. junction capacity
versus blocking voltage
Fig. 3 typ. thermal impedance junction to case
Outlines TO-252 AA
Outlines TO-263 AB
1. Gate
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.315
.380
.245
.100 BSC
.575
.090
.040
.050
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.29
8.13
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.350
.405
.320
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e 2.54 BSC
L
14.61
L1
L2
L3
L4
R
15.88
2.79
1.40
1.78
0.20
0.74
.625
.110
.055
.070
.008
.029
2.29
1.02
1.27
0
0
0.46
.018
Dim. Millimeter
Inches
Min.
2.19
0.89
Max.
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
Min.
0.086
0.035
Max.
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
L1
L2
L3
0
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40
0.51
0.64
0.89
2.54
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
10.42
1.02
1.02
1.27
2.92
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
1 Anode
2 NC
3 Anode
4 Cathode
0.0
0.5
1.0
1.5
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
s
K/W
0.1
1
10
100
V
R
1000
10
100
C
J
I
F
A
V
F
V
pF
V
Z
thJC
T
VJ
= 125°C
300
40
Single Pulse
T
VJ
=
125°C
25°C
TO-252
TO-263
DGS15-018CS
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PDF描述
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參數(shù)描述
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DGSK40-022A 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Gallium Arsenide Schottky Rectifier