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參數(shù)資料
| 型號： | DL110 |
| 英文描述： | Wireless RF Product Device Data |
| 中文描述： | 無線射頻產(chǎn)品設(shè)備數(shù)據(jù) |
| 文件頁數(shù)： | 244/882頁 |
| 文件大小： | 21939K |
| 代理商： | DL110 |
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5–31
MRF282SR1 MRF282ZR1
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 50
μ
Adc)
V
GS(th)
2.0
3.0
4.0
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 0.5 Adc)
V
DS(on)
—
0.4
0.6
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 75 mAdc)
V
GS(q)
3.0
4.0
5.0
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
iss
—
15
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
—
8.0
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz)
C
rss
—
0.45
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture)
Common–Source Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 2000.0 MHz, f2 = 2000.1 MHz)
G
ps
10.5
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 2000.0 MHz, f2 = 2000.1 MHz)
η
28
—
—
%
Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 2000.0 MHz, f2 = 2000.1 MHz)
IMD
—
–31
–28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 2000.0 MHz, f2 = 2000.1 MHz)
IRL
—
–14
–9
dB
Common–Source Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
G
ps
10.5
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
η
28
—
—
%
Intermodulation Distortion
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
IMD
—
–31
–28
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W PEP, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 1930.0 MHz, f2 = 1930.1 MHz)
IRL
—
–14
–9
dB
Common–Source Power Gain
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W CW, I
DQ
= 75 mA, f = 2000.0 MHz)
G
ps
9.5
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W CW, I
DQ
= 75 mA, f = 2000.0 MHz)
η
35
40
—
%
Output Mismatch Stress
(V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 10 W CW, I
DQ
= 75 mA,
f1 = 2000.0 MHz, f2 = 2000.1 MHz, Load VSWR = 10:1,
All Phase Angles at Frequency of Test)
Ψ
No Degradation In Output Power
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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