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參數(shù)資料
| 型號： | DL110 |
| 英文描述： | Wireless RF Product Device Data |
| 中文描述： | 無線射頻產(chǎn)品設(shè)備數(shù)據(jù) |
| 文件頁數(shù)： | 250/882頁 |
| 文件大?。?/td> | 21939K |
| 代理商： | DL110 |
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5–37
MRF284R1 MRF284LSR1
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
The RF Sub–Micron MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from
1000 to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier
applications. To be used in Class A and Class AB for PCN–PCS/cellular radio
and wireless local loop.
Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 30 Watts PEP
Power Gain = 9 dB
Efficiency = 30%
Intermodulation Distortion = –29 dBc
Typical Single–Tone Performance at 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 30 Watts CW
Power Gain = 9.5 dB
Efficiency = 45%
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 30 Watts CW
Output Power
Excellent Thermal Stability
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 inch Reel.
Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates
40
μ″
Nominal.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate–Source Voltage
V
GS
±
20
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
87.5
0.5
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
–65 to +150
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
2.0
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain–Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0, I
D
= 10
μ
Adc)
V
(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Current
(V
DS
= 20 Vdc, V
GS
= 0)
I
DSS
—
—
1.0
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 20 Vdc, V
DS
= 0)
I
GSS
—
—
10
μ
Adc
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2000 MHz, 30 W, 26 V
LATERAL N–CHANNEL
BROADBAND
RF POWER MOSFETs
CASE 360B–05, STYLE 1
NI–360
MRF284R1
CASE 360C–05, STYLE 1
NI–360S
MRF284LSR1
REV 13
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
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