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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DL110 |
| 英文描述： | Wireless RF Product Device Data |
| 中文描述： | 無(wú)線射頻產(chǎn)品設(shè)備數(shù)據(jù) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 454/882頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 21939K |
| 代理商： | DL110 |
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5–241
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
The RF Sub–Micron MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies
from 921 to 960 MHz, the high gain and broadband performance of these
devices make them ideal for large–signal, common–source amplifier applica-
tions in 28 volt base station equipment.
Typical Performance for GSM Frequencies, 921 to 960 MHz, 28 Volts
Output Power @ P1dB — 135 Watts
Power Gain — 16.5 dB @ 130 Watts Output Power
Efficiency — 48% @ 130 Watts Output Power
Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
High Gain, High Efficiency and High Linearity
Integrated ESD Protection
Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, All Frequency Band,
130 Watts (CW) Output Power
Excellent Thermal Stability
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates
40
μ″
Nominal.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate–Source Voltage
V
GS
+15, –0.5
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
=
25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
298
1.7
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
–65 to +200
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS
Test Conditions
Class
Human Body Model
1 (Minimum)
Machine Model
M2 (Minimum)
Charge Device Model
C7
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
0.6
°
C/W
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
%"
%"
%"
GSM/EDGE
921–960 MHz, 130 W, 28 V
LATERAL N–CHANNEL
RF POWER MOSFETs
CASE 465–06, STYLE 1
(NI–780)
(MRF9130L)
CASE 465A–06, STYLE 1
(NI–780S)
(MRF9130LSR3)
REV 0
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
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