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參數(shù)資料
| 型號： | DL110 |
| 英文描述： | Wireless RF Product Device Data |
| 中文描述： | 無線射頻產(chǎn)品設(shè)備數(shù)據(jù) |
| 文件頁數(shù)： | 602/882頁 |
| 文件大?。?/td> | 21939K |
| 代理商： | DL110 |
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5–389
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
The RF MOSFET Line
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110
to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applica-
tions. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL
applications.
Typical 2–carrier W–CDMA Performance for V
DD
= 28 Volts,
I
DQ
= 850 mA, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz, Channel Bandwidth =
3.84 MHz, Adjacent Channels Measured over 3.84 MHz BW @ f1
–
5 MHz
and f2 +5 MHz, Distortion Products Measured over a 3.84 MHz BW
@ f1 –10 MHz and f2 +10 MHz, Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability
on CCDF.
Output Power — 19 Watts Avg.
Power Gain — 14.5 dB
Efficiency — 26%
IM3 — –37.5 dBc
ACPR — –40.5 dBc
Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
High Gain, High Efficiency and High Linearity
Integrated ESD Protection
Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 90 Watts CW
Output Power
Excellent Thermal Stability
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Qualified Up to a Maximum of 32 V
DD
Operation
Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates
40
μ″
Nominal.
Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
V
DSS
65
Vdc
Gate–Source Voltage
V
GS
–0.5, +15
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
224
1.28
Watts
W/
°
C
Storage Temperature Range
T
stg
–65 to +150
°
C
Operating Junction Temperature
T
J
200
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
Case Temperature 80
°
C, 90 W CW
Case Temperature 80
°
C, 19 W CW
R
θ
JC
0.78
0.80
°
C/W
NOTE –
CAUTION
– MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and
packaging MOS devices should be observed.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
!"%"
!"%"
!"%"
2170 MHz, 19 W AVG.,
2 x W–CDMA, 28 V
LATERAL N–CHANNEL
RF POWER MOSFETs
CASE 465–06, STYLE 1
NI–780
MRF5S21090L
CASE 465A–06, STYLE 1
NI–780S
MRF5S21090LSR3
REV 0
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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PDF描述 |
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