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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DL110 |
| 英文描述： | Wireless RF Product Device Data |
| 中文描述： | 無線射頻產(chǎn)品設(shè)備數(shù)據(jù) |
| 文件頁數(shù)： | 643/882頁 |
| 文件大?。?/td> | 21939K |
| 代理商： | DL110 |
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MRF5P21180
5–430
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS
Test Conditions
Class
Human Body Model
2 (Minimum)
Machine Model
M3 (Minimum)
Charge Device Model
C7 (Minimum)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
(1)
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 65 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
(1)
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μ
Adc)
V
GS(th)
2.5
2.8
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 800 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.6
—
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
V
DS(on)
—
0.26
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
g
fs
—
5
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
1.7
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) (2) 2–carrier W–CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers, ACPR and
IM3 measured in 3.84 MHz Bandwidth. Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 800 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz)
G
ps
12.5
14
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 800 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz)
η
23
25.5
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 800 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz; IM3 measured over 3.84 MHz BW @ f1 –10 MHz
and f2 +10 MHz referenced to carrier channel power.)
IM3
—
–37.5
–35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 800 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz; ACPR measured over 3.84 MHz BW @ f1 – 5 MHz
and f2 +5 MHz.)
ACPR
—
–41
–38
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 800 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz)
IRL
—
–14
–9
dB
(1) Each side of device measured separately. Part is internally matched both on input and output.
(2) Measurements made with device in push–pull configuration.
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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