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參數(shù)資料
| 型號： | DL110 |
| 英文描述： | Wireless RF Product Device Data |
| 中文描述： | 無線射頻產(chǎn)品設備數(shù)據(jù) |
| 文件頁數(shù)： | 650/882頁 |
| 文件大小： | 21939K |
| 代理商： | DL110 |
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5–437
MRF21180 MRF21180S
MOTOROLA WIRELESS
RF PRODUCT DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
(1)
Drain–Source Breakdown Voltage
(V
GS
= 0 Vdc, I
D
= 100
μ
Adc)
V
(BR)DSS
65
—
—
Vdc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Gate–Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
(1)
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 200
μ
Adc)
V
GS(th)
2
—
4
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 28 Vdc, I
D
= 850 mAdc)
V
GS(Q)
3
3.9
5
Vdc
Drain–Source On–Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
V
DS(on)
—
0.18
0.22
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 2 Adc)
g
fs
—
6
—
S
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0, f = 1 MHz)
C
rss
—
3.6
—
pF
FUNCTIONAL TESTS
(In Motorola Test Fixture, 50 ohm system) (2)
2–Carrier W–CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carriers. Each carrier has Peak/Avg. ratio = 8.3 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Common–Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz)
G
ps
11
12.1
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz)
η
19
22
—
%
Third Order Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz; IM3 measured over 3.84 MHz BW @ f1 –10 MHz
and f2 +10 MHz)
IM3
—
–37.5
–35
dBc
Adjacent Channel Power Ratio
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz; ACPR measured over 3.84 MHz BW @ f1 – 5 MHz
and f2 +5 MHz.)
ACPR
—
–41
–39
dBc
Input Return Loss
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W Avg., I
DQ
= 2 x 850 mA,
f1 = 2112.5 MHz, f2 = 2122.5 MHz and f1 = 2157.5 MHz,
f2 = 2167.5 MHz)
IRL
—
–12
–9
dB
Output Mismatch Stress
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 170 W CW, I
DQ
= 2 x 850 mA, f = 2170 MHz
VSWR = 5:1, All Phase Angles at Frequency of Tests)
Ψ
No Degradation In Output Power
Before and After Test
(1) Each side of device measured separately. Part is internally matched both on input and output.
(2) Measurements made with device in push–pull configuration.
(continued)
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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