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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DSF10K |
| 廠商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | EMBEDDED PROGRAMMABLE LOGIC FAMILY |
| 中文描述： | 嵌入式可編程邏輯系列 |
| 文件頁數(shù)： | 11/138頁 |
| 文件大?。?/td> | 2116K |
| 代理商： | DSF10K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁當(dāng)前第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁
Altera Corporation
11
FLEX 10K Embedded Programmable Logic Family Data Sheet
Larger blocks of RAM are created by combining multiple EABs. For
example, two 256
×
8 RAM blocks can be combined to form a
256
×
16 RAM block; two 512
×
4 blocks of RAM can be combined to form
a 512
×
8 RAM block. See
Figure 3
.
Figure 3. Examples of Combining EABs
If necessary, all EABs in a device can be cascaded to form a single RAM
block. EABs can be cascaded to form RAM blocks of up to 2,048 words
without impacting timing. Altera’s MAX+PLUS II software automatically
combines EABs to meet a designer’s RAM specifications.
EABs provide flexible options for driving and controlling clock signals.
Different clocks can be used for the EAB inputs and outputs. Registers can
be independently inserted on the data input, EAB output, or the address
and
WE
inputs. The global signals and the EAB local interconnect can drive
the
WE
signal. The global signals, dedicated clock pins, and EAB local
interconnect can drive the EAB clock signals. Because the LEs drive the
EAB local interconnect, the LEs can control the
signals.
WE
signal or the EAB clock
Each EAB is fed by a row interconnect and can drive out to row and
column interconnects. Each EAB output can drive up to two row channels
and up to two column channels; the unused row channel can be driven by
other LEs. This feature increases the routing resources available for EAB
outputs. See
Figure 4
.
512
× 4
512
× 4
256
×
8
256
×
8
256
×
16
512
×
8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSF11060SG55 | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| DSF11060SG56 | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| DSF11060SG | Fast Recovery Diode |
| DSF11060SG58 | Fast Recovery Diode |
| DSF11060SG60 | Fast Recovery Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DSF10T | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1.0A Power Rectifier |
| DSF10T_08 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:1.0A Power Rectifier |
| DSF10TB | 功能描述:DIODE RECT 1A 100V DO-41S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| DSF10TB-AT1 | 功能描述:DIODE RECT 1A 100V DO-41S RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
| DSF10TB-BT | 功能描述:整流器 RECITIFIER DIODE 1A 100V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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