mlcc（片狀多層陶瓷電容）現(xiàn)在已經(jīng)成為了電子電路最常用的元件之一。
多層片狀陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，一般來講有npo、x7r、z5u、y5v等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。
npo、x7r、z5u和y5v的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
一npo電容器
npo是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。
npo電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3δc。npo電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。npo電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了npo電容器可選取的容量范圍。
封裝 dc=50v dc=100v
0805 0.5---1000pf 0.5---820pf
1206 0.5---1200pf 0.5---1800pf
1210 560---5600pf 560---2700pf
2225 1000pf---0.033μf 1000pf---0.018μf
npo
電容器適合用于
振蕩器、
諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。
二x7r電容器
x7r電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。
x7r電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%δc，表現(xiàn)為10年變化了約5%。
x7r電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了x7r電容器可選取的容量范圍。
封裝 dc=50v dc=100v
0805 330pf---0.056μf 330pf---0.012μf
1206 1000pf---0.15μf 1000pf---0.047μf
1210 1000pf---0.22μf 1000pf---0.1μf
2225 0.01μf---1μf 0.01μf---0.56μf
三z5u電容器
z5u電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于z5u電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下z5u電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。
盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（esl）和等效串聯(lián)電阻（esr）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。下表給出了z5u電容器的取值范圍。
封裝 dc=25v dc=50v
0805 0.01μf---0.12μf 0.01μf---0.1μf
1206 0.01μf---0.33μf 0.01μf---0.27μf
1210 0.01μf---0.68μf 0.01μf---0.47μf
2225 0.01μf---1μf 0.01μf---1μf
z5u電容器的其他技術(shù)指標如下:
工作溫度范圍+10℃--- +85℃
溫度特性+22% ---- -56%
介質(zhì)損耗最大4%
四y5v電容器
y5v電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達+22%到-82%。
y5v的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μf電容器。
y5v電容器的取值范圍如下表所示
封裝 dc=25v dc=50v
0805 0.01μf---0.39μf 0.01μf---0.1μf
1206 0.01μf---1μf 0.01μf---0.33μf
1210 0.1μf---1.5μf 0.01μf---0.47μf
2225 0.68μf---2.2μf 0.68μf---1.5μf
y5v電容器的其他技術(shù)指標如下:
工作溫度范圍-30℃--- +85℃
溫度特性+22% ---- -82%
介質(zhì)損耗最大5%