分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BCR 108S E6327品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BCR 108S E6327 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BCR 108S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR NPN DGTL SOT-363 0
BCR 08PN B6327 Infineon Technologies TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 0
BCR 108S E6327 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 50V
電阻器 - 基極 (R1)(歐): 2.2k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐): 47k
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE): 70 @ 5mA,5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大): 300mV @ 500µA,10mA
電流 - 集電極截止(最大): -
頻率 - 轉(zhuǎn)換: 170MHz
功率 - 最大: 250mW
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-SOT363-6
包裝: 帶卷 (TR)