分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NSVBC114YDXV6T1G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
NSVBC114YDXV6T1G • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠(chǎng)商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| NSVBC114YDXV6T1G |
ON Semiconductor |
TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563 |
0 |
8,000:$0.10230
|
| NSVB143TPDXV6T1G |
ON Semiconductor |
TRANS NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
0 |
8,000:$0.10230
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| NSVB123JPDXV6T1G |
ON Semiconductor |
TRANS NPN/PNP DUAL 50V SOT563 |
0 |
8,000:$0.10230
|
NSVBC114YDXV6T1G • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
100mA
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| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: |
50V
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| 電阻器 - 基極 (R1)（歐）: |
10k
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| 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）: |
47k
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| 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE): |
80 @ 5mA，10V
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| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: |
250mV @ 1mA，10mA
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| 電流 - 集電極截止（最大）: |
500nA
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| 頻率 - 轉(zhuǎn)換: |
-
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| 功率 - 最大: |
500mW
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| 封裝/外殼: |
SOT-563，SOT-666
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
SOT-563
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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