| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| PDTA113ET,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 | 18,000 | 3,000:$0.02407 6,000:$0.02171 15,000:$0.01888 |
| PDTA113ET,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 | 0 | 24,000:$0.02124 |
| PDTA123YT,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 | 21,000 | 3,000:$0.02407 6,000:$0.02171 15,000:$0.01888 |
| PDTA123YT,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP W/RES 50V SOT-23 | 0 | 24,000:$0.02124 |
| PDTA114TT,215 | NXP Semiconductors | TRANS PNP 50V 100MA SOT23 | 21,000 | 3,000:$0.02407 6,000:$0.02171 15,000:$0.01888 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: | 100mA |
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: | 50V |
| 電阻器 - 基極 (R1)（歐）: | 1k |
| 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）: | 1k |
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE): | 30 @ 40mA，5V |
| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: | 150mV @ 1.5mA，30mA |
| 電流 - 集電極截止（最大）: | 1µA |
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換: | - |
| 功率 - 最大: | 250mW |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-236AB |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |