分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PDTD113ET,215品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
PDTD113ET,215 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| PDTD113ET,215 |
NXP Semiconductors |
TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 |
0 |
9,000:$0.05400
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PDTD113ET,215 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
500mA
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| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: |
50V
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| 電阻器 - 基極 (R1)（歐）: |
1k
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| 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）: |
1k
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| 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE): |
33 @ 50mA，5V
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| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: |
300mV @ 2.5mA，50mA
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| 電流 - 集電極截止（最大）: |
500nA
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| 頻率 - 轉(zhuǎn)換: |
-
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| 功率 - 最大: |
250mW
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-236AB
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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