分離式半導體產(chǎn)品 FESB8JT-E3/45品牌、價格、PDF參數(shù)
FESB8JT-E3/45 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| FESB8JT-E3/45 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 8A 600V 50NS SGL TO263AB |
0 |
1,000:$0.58260
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| FESB8GT-E3/45 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 8A 400V 50NS SGL TO263AB |
0 |
1,000:$0.58260
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| MBR1650-E3/45 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE SCHOTT 16A 50V SGL TO220-3 |
0 |
1,000:$0.57840
|
| MBRB10H60HE3/45 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE SCHOTT 10A 60V SGL TO263AB |
0 |
1,000:$0.57690
|
| MBRB10H60-E3/45 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE SCHOTT 10A 60V SGL TO263AB |
0 |
1,000:$0.57690
|
| FESF8JT-E3/45 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 8A 600V 50NS SGL TO220-2 |
0 |
1,000:$0.57450
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FESB8JT-E3/45 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導體產(chǎn)品
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| 二極管類型: |
標準
|
| 電壓 - (Vr)（最大）: |
600V
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| 電流 - 平均整流 (Io): |
8A
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| 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）: |
1.5V @ 8A
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| 速度: |
快速恢復 = 200mA（Io）
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| 反向恢復時間(trr): |
50ns
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| 電流 - 在 Vr 時反向漏電: |
10µA @ 600V
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| 電容@ Vr, F: |
-
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-263AB
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| 包裝: |
管件
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