分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 ESH1B-E3/5AT品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
ESH1B-E3/5AT • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| ESH1B-E3/5AT |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 1A 100V 25NS DO-214AC SMA |
0 |
7,500:$0.13100
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| EGP10DEHE3/54 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 1A 200V 50NS SMC |
0 |
5,500:$0.13100
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| EGP10BEHE3/54 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 1A 150V 50NS SMC |
0 |
5,500:$0.13100
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| BY227MGPHE3/54 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE FAST 1.75A 1250V DO-15 |
0 |
8,000:$0.13100
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| BYM10-200HE3/96 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 200V DO-213AB |
0 |
6,000:$0.12800
|
| BYM10-100HE3/96 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE GPP 1A 100V DO-213AB |
0 |
6,000:$0.12800
|
| EGL34CHE3/83 |
Vishay General Semiconductor |
DIODE 0.5A 150V 50NS MELF |
0 |
9,000:$0.12800
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ESH1B-E3/5AT • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| 二極管類型: |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 電壓 - (Vr)（最大）: |
100V
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| 電流 - 平均整流 (Io): |
1A
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| 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）: |
900mV @ 1A
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| 速度: |
快速恢復(fù) = 200mA（Io）
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| 反向恢復(fù)時間(trr): |
25ns
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| 電流 - 在 Vr 時反向漏電: |
1µA @ 100V
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| 電容@ Vr, F: |
-
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
DO-214AC，SMA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
DO-214AC（SMA）
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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