分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI6465DQ-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI6465DQ-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI6465DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 0
SI7446BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0
SI7452DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC 0
SI7476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC 0
SI6465DQ-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: -
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 8.8A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 80nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: -
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)