分離式半導體產(chǎn)品 SI5406DC-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)
SI5406DC-T1-GE3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| SI5406DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 |
0 |
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SI5406DC-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
12V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
6.9A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
20 毫歐 @ 6.9A，4.5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
600mV @ 1.2mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
20nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.3W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SMD，扁平引線
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| 供應商設(shè)備封裝: |
1206-8 ChipFET?
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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