分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SPD30P06P G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SPD30P06P G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SPD30P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 0 2,500:$1.22404
SPD30P06P G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 75 毫歐 @ 21.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 1.7mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1535pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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