分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI5463EDC-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI5463EDC-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠(chǎng)商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI5463EDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8 |
0 |
|
| SI5475DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8 |
0 |
|
| SI5480DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
|
| SI5482DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
|
| SI5858DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
0 |
|
| SI7358ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
|
| SI7368DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC |
0 |
|
| SI7407DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 |
0 |
|
| SI7445DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
0 |
|
SI5463EDC-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
| FET 型: |
MOSFET P 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門(mén)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
3.8A
|
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
62 毫歐 @ 4A，4.5V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
450mV @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
15nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
|
| 功率 - 最大: |
1.25W
|
| 安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
8-SMD，扁平引線(xiàn)
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
1206-8 ChipFET?
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|