分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI072N10N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPI072N10N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPI072N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 0 1:$2.41000
10:$2.18000
25:$1.94640
100:$1.75160
250:$1.55700
500:$1.36238
1,000:$1.12883
2,500:$1.05098
5,000:$1.01205
IPI80N04S4-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1 0 1,000:$0.72015
IPA65R660CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220 0 10,000:$1.29642
IPB120N04S4-01 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 0 1,000:$1.28789
IPI072N10N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 7.2 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 90µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4910pF @ 50V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件