分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB100N04S4-H2品牌、價格、PDF參數(shù)
IPB100N04S4-H2 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| IPB100N04S4-H2 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 |
0 |
1,000:$0.77880
|
| IPA65R600C6 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 |
0 |
10,000:$0.77051
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IPB100N04S4-H2 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
40V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
100A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
2.4 毫歐 @ 100A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 70µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
90nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
7180pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
115W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO263-3-2
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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