分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7886ADP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI7886ADP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI7886ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
|
| SIHB22N60S-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK |
0 |
|
| SUM90N08-7M6P-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK |
0 |
|
| SUP18N15-95-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3 |
0 |
|
| SUP60N02-4M5P-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB |
0 |
|
| SUV85N10-10-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB |
0 |
|
SI7886ADP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
30V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
15A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
4 毫歐 @ 25A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
1.5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
60nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
6450pF @ 15V
|
| 功率 - 最大: |
1.9W
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
PowerPAK? SO-8
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PowerPAK? SO-8
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|