分離式半導體產(chǎn)品 IPI65R600C6品牌、價格、PDF參數(shù)

IPI65R600C6 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPI65R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262 0 10,000:$0.86021
IPW65R110CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 0 1:$10.38000
10:$9.34000
100:$7.67920
250:$7.05652
500:$6.43390
1,000:$5.60372
2,500:$5.39617
5,000:$5.18863
10,000:$5.08485
IPI65R600C6 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 600 毫歐 @ 2.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 210µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 440pF @ 100V
功率 - 最大: 63W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件