分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSC084P03NS3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSC084P03NS3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSC084P03NS3 G Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8 0 1:$1.88000
10:$1.68200
25:$1.48400
100:$1.33540
250:$1.16232
500:$1.03866
1,000:$0.81609
2,500:$0.76663
BSR302N L6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59 0 1:$0.64000
10:$0.50900
25:$0.44520
100:$0.38150
250:$0.32948
500:$0.28322
1,000:$0.21964
BSR302N L6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59 0 1:$0.64000
10:$0.50900
25:$0.44520
100:$0.38150
250:$0.32948
500:$0.28322
1,000:$0.21964
SPI15N65C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 0 500:$2.06902
BSC084P03NS3 G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 14.9A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.4 毫歐 @ 50A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1.9V @ 105µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4785pF @ 15V
功率 - 最大: 69W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TDSON-8
包裝: 剪切帶 (CT)