分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI147N12N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPI147N12N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPI147N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3 0 1:$1.79000
10:$1.62100
25:$1.44720
100:$1.30230
250:$1.15760
500:$1.01290
1,000:$0.83926
2,500:$0.78138
5,000:$0.75244
IPI147N12N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 56A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 14.7 毫歐 @ 56A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 61µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 49nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3220pF @ 60V
功率 - 最大: 107W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件