| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IXTT10P60 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 10A TO-268 | 0 | 60:$8.09750 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 10A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1 歐姆 @ 5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4700pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA |
| 供應商設備封裝: | TO-268 |
| 包裝: | 管件 |