| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | 0 | 2,500:$6.87200 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 1.5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | - |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | - |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | - |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | - |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC |
| 供應商設備封裝: | 8-SOIC |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |