分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NTDV18N06LT4G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

NTDV18N06LT4G • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NTDV18N06LT4G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 0 2,500:$0.35714
NTDV18N06LT4G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫歐 @ 9A,5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 675pF @ 25V
功率 - 最大: 2.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: DPAK-3
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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