分離式半導體產(chǎn)品 IXTH2R4N120P品牌、價格、PDF參數(shù)

IXTH2R4N120P • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IXTH2R4N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247 0 90:$5.16600
IXFL38N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK 0 25:$20.87600
IXTC180N055T IXYS MOSFET N-CH 55V ISOPLUS 220 0 100:$5.12450
IXTC160N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220 0 100:$5.12450
IXTH2R4N120P • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2.4A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 37nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1207pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應商設備封裝: TO-247
包裝: 管件