分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTV02N250S品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IXTV02N250S • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IXTV02N250S IXYS MOSFET N-CH 2500V .2A PLUS220 2 1:$13.64000
10:$12.40000
100:$10.54000
250:$9.61000
500:$8.99000
1,000:$8.24600
2,500:$7.90500
5,000:$7.68800
IXTQ130N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P 0 120:$4.24350
IXTQ102N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P 0 120:$4.24350
IXFT16N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 16A TO268 0 30:$13.32000
IXTH98N20T IXYS MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 0 120:$3.95650
IXFT15N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 20 1:$13.20000
10:$12.00000
100:$10.20000
250:$9.30000
500:$8.70000
1,000:$7.98000
2,500:$7.65000
5,000:$7.44000
10,000:$7.20000
IXTV02N250S • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 2500V（2.5kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 450 歐姆 @ 50mA，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 116pF @ 25V
功率 - 最大: 83W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PLUS-220SMD
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PLUS-220SMD
包裝: 管件